半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010988489.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114203671A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114203671A 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L23/528（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 呼翔 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，包括：提供襯底；形成若干柵極結(jié)構(gòu)和若干源漏摻雜層，所述源漏摻雜層位于相鄰的所述柵極結(jié)構(gòu)之間；在所述源漏摻雜層上形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的頂部表面低于所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部表面，在相鄰的所述柵極結(jié)構(gòu)之間具有第一開(kāi)口；在所述第一開(kāi)口側(cè)壁形成停止層。通過(guò)在所述第一開(kāi)口的側(cè)壁形成停止層，在后續(xù)刻蝕去除所述第一開(kāi)口內(nèi)的所述第一保護(hù)層時(shí)，由于所述第一開(kāi)口的側(cè)壁具有停止層，會(huì)使得刻蝕停止在所述停止層的表面，進(jìn)而避免了刻蝕工藝對(duì)柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁造成損傷，因此，在后續(xù)形成導(dǎo)電插塞時(shí)，不會(huì)造成所述導(dǎo)電插塞與柵極結(jié)構(gòu)之間的短接，進(jìn)而提升最終形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。