半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010990198.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114203697A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114203697A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L27/088（2006.01）I;H01L27/092（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 涂武濤;紀(jì)世良;陳建;王彥;張海洋 申請（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，包括：提供襯底；在襯底的器件區(qū)上形成若干第一鰭部和第二鰭部；在襯底的隔離區(qū)上形成若干第一偽柵結(jié)構(gòu)；在襯底上形成介質(zhì)層；在介質(zhì)層和第二鰭部內(nèi)形成第一開口；在第一開口內(nèi)形成第一隔離結(jié)構(gòu)；在介質(zhì)層和第一鰭部內(nèi)第二開口；在第二開口內(nèi)形成第二隔離結(jié)構(gòu)。第二鰭部位于器件區(qū)上，且第二鰭部還橫跨于隔離區(qū)上，使得在隔離區(qū)上形成的第一偽柵結(jié)構(gòu)會全部覆蓋第二鰭部的部分側(cè)壁和頂部表面，在去除位于第二區(qū)上的第一偽柵結(jié)構(gòu)時，刻蝕溶液不會損傷到第二鰭部。通過不同步驟形成第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)，使得第一鰭部和第二鰭部能夠產(chǎn)生不同類型的應(yīng)力，以滿足不同類型晶體管的需求，進而提升半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性能。