玻璃基片鍍SIO2的掩膜體的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010196069.8 申請日 -
公開（公告）號 CN101881926B 公開（公告）日 2011-10-26
申請公布號 CN101881926B 申請公布日 2011-10-26
分類號 G03F7/00(2006.01)I 分類 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術〔4〕;
發(fā)明人 李益芳;王磊;劉錫鋼;余漢水;毛飛 申請（專利權）人 深圳拓勵達光電科技有限公司
代理機構 深圳市中知專利商標代理有限公司 代理人 深圳市力合薄膜科技有限公司;深圳力合光電傳感股份有限公司
地址 518106 廣東省深圳市寶安區(qū)公明鎮(zhèn)長圳村第四工業(yè)區(qū)19、20座
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種玻璃基片鍍SIO2的掩膜體的方法，其特征在于光刻材料為：液晶顯示器用正性光刻膠，其密度為1.06g/cm3，閃點為：47度，沸點為146度；具體步驟如下：在清洗后的基板上涂正性光刻膠，膜厚為1.2um～1.8um；預烘的固化溫度為：80～110℃，時間為100～150分鐘；曝光參數(shù)：80～150mj，母板與基板之間的間隙GAP量：100～200um；把氫氧化鉀KOH配比成0.55％的水溶液，顯影溫度設定：22～24℃，時間為：40～120秒；固化溫度設定：100～120℃，時間：5～20分鐘；真空濺射鍍SIO2膜層鍍膜室的鍍膜溫度控制在110～130℃；由乙醇胺、二甲基亞砜構成的正膠剝離液作為脫膜液進行脫膜；去除基板上光刻膠，溫度控制：40-60度，時間：10-20min；最后清洗。