一種單晶硅太陽能電池片去除磷硅玻璃的工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310722757.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103746030B 公開（公告）日 2016-05-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN103746030B 申請(qǐng)公布日 2016-05-11
分類號(hào) H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 丁繼業(yè);安百俊;謝余才;陳剛剛;田治龍;任春蘭;何曉玢;葛瑞麗;曲巖 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 寧夏銀星能源股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 寧夏專利服務(wù)中心 代理人 趙明輝
地址 750021 寧夏回族自治區(qū)銀川市西夏區(qū)六盤山西路166號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種單晶硅太陽能電池片去除磷硅玻璃的工藝，用于去除擴(kuò)散后在硅片表面形成的磷硅玻璃。其特點(diǎn)是，包括如下步驟：（1）將槽式去PSG清洗機(jī)6個(gè)槽中的雜質(zhì)清除；（2）向1#酸槽注入純水100L，然后加入16L質(zhì)量濃度49%的電子純氫氟酸，再注入30L純水，最終得到氫氟酸溶液；向2#快排槽、3#槽、4#槽、5#槽、6#槽注滿純水；（3）將裝好硅片的提籃放入去磷硅玻璃清洗機(jī)上料口；（4）運(yùn)行槽式去PSG清洗機(jī)；（5）結(jié)束后取出提籃，快速放入甩干機(jī)內(nèi)，甩干。本發(fā)明可以去除硅片擴(kuò)散過程中形成的磷硅玻璃，使去PSG后的硅片符合工藝要求，避免硅片表面出現(xiàn)親水現(xiàn)象，提升擴(kuò)散后的少子壽命。