擴(kuò)散后方塊電阻和少子壽命異常硅片的處理辦法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310720135.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103745940B 公開(kāi)（公告）日 2016-08-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN103745940B 申請(qǐng)公布日 2016-08-17
分類號(hào) H01L21/66(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊佳;謝余才;楊利利;安百俊;王雄;武建;李天钚 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 寧夏銀星能源股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 寧夏專利服務(wù)中心 代理人 趙明輝
地址 750021 寧夏回族自治區(qū)銀川市西夏區(qū)六盤山西路166號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種擴(kuò)散后方塊電阻（簡(jiǎn)稱方阻）和少子壽命異常硅片的處理辦法，該方法用于處理因擴(kuò)散不當(dāng)而不合質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的硅片。其特點(diǎn)是，包括如下步驟：（1）首先對(duì)單晶硅片單面擴(kuò)散后方塊電阻和少子壽命異常硅片進(jìn)行分類，第一類為方阻和少子壽命分別為90?130Ω/sq和0?2μs，第二類為方阻和少子壽命分別為75?90Ω/sq和4?20μs，第三類為方阻和少子壽命分別為40?50Ω/sq和4?20μs，第四類為方阻和少子壽命分別為60?75Ω/sq和2?4μs；（2）對(duì)第一類硅片進(jìn)行如下處理：按原擴(kuò)散工藝再重復(fù)進(jìn)行一次擴(kuò)散。采用本發(fā)明的方法后，省去了重新清洗制絨的環(huán)節(jié)，大大節(jié)約了返工成本、時(shí)間。