一種清洗單晶硅片表面的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310521814.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103681239B 公開（公告）日 2016-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN103681239B 申請(qǐng)公布日 2016-09-28
分類號(hào) H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭文強(qiáng);廖建剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 寧夏銀星能源股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 寧夏專利服務(wù)中心 代理人 趙明輝
地址 750021 寧夏回族自治區(qū)銀川市西夏區(qū)六盤山西路166號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種清洗單晶硅片表面的方法。其特點(diǎn)是，包括如下步驟：首先在預(yù)清洗槽內(nèi)加入雙氧水和氫氧化鈉得到混合溶液，在該混合溶液中雙氧水的濃度為2%?3%，NaOH的濃度為0.15%?0.3%，配合超聲對(duì)單晶硅片進(jìn)行清洗，清洗時(shí)混合溶液浸沒(méi)過(guò)單晶硅片。經(jīng)過(guò)試用證明，采用本發(fā)明的方法后，制絨時(shí)間縮短，提高了產(chǎn)量，硅片表面油污、白斑、手印等臟污被完全洗凈，返工片數(shù)量大量減少，降低硅片的報(bào)廢比例，相應(yīng)減少了由于硅片制絨后返工所需化學(xué)品使用量。