一種清洗單晶硅片表面的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310521814.5 申請日 -
公開（公告）號 CN103681239B 公開（公告）日 2016-09-28
申請公布號 CN103681239B 申請公布日 2016-09-28
分類號 H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭文強;廖建剛 申請（專利權(quán)）人 寧夏銀星能源股份有限公司
代理機構(gòu) 寧夏專利服務(wù)中心 代理人 趙明輝
地址 750021 寧夏回族自治區(qū)銀川市西夏區(qū)六盤山西路166號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種清洗單晶硅片表面的方法。其特點是，包括如下步驟：首先在預清洗槽內(nèi)加入雙氧水和氫氧化鈉得到混合溶液，在該混合溶液中雙氧水的濃度為2%?3%，NaOH的濃度為0.15%?0.3%，配合超聲對單晶硅片進行清洗，清洗時混合溶液浸沒過單晶硅片。經(jīng)過試用證明，采用本發(fā)明的方法后，制絨時間縮短，提高了產(chǎn)量，硅片表面油污、白斑、手印等臟污被完全洗凈，返工片數(shù)量大量減少，降低硅片的報廢比例，相應(yīng)減少了由于硅片制絨后返工所需化學品使用量。