銀納米線導(dǎo)電薄膜的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910903370.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110634620B 公開（公告）日 2021-05-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN110634620B 申請(qǐng)公布日 2021-05-14
分類號(hào) H01B13/00;H01B13/30;H01B5/14 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳建良;李奇琳;甘堃;陳超云 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市善柔科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 方良
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道珠光社區(qū)珠光路珠光創(chuàng)新科技園4棟1層103
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于納米材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種銀納米線導(dǎo)電薄膜的制備方法。該制備方法包括如下步驟：提供基板；將銀納米線墨水涂布在所述基板上，形成初始銀納米線薄膜；將所述初始銀納米線薄膜與含銨根離子和硼氫根離子的溶液混合處理，然后進(jìn)行干燥處理，得到銀納米線導(dǎo)電薄膜。本發(fā)明的上述銀納米線導(dǎo)電薄膜的制備方法，通過利用銨根離子和硼氫根離子相結(jié)合以有效去除銀納米線表面的PVP，使銀納米線更好搭接，最終提高了銀納米線導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電性能。