金屬納米線復合薄膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111551446.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114334273A 公開（公告）日 2022-04-12
申請公布號 CN114334273A 申請公布日 2022-04-12
分類號 H01B13/00（2006.01）I;H01B5/14（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王新月;李奇琳;甘堃 申請（專利權）人 深圳市善柔科技有限公司
代理機構 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 曹柳
地址 518000廣東省深圳市光明區(qū)鳳凰街道塘尾社區(qū)恒泰裕大廈1棟507
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請屬于材料技術領域，尤其涉及一種金屬納米線復合薄膜及其制備方法。其中，金屬納米線復合薄膜的制備方法，包括以下步驟：獲取金屬納米線墨水后在基板上成膜處理，在所述基板上形成金屬納米線涂層；在所述金屬納米線涂層背離所述基板的表面制備聚硫醇烯基涂層；在所述聚硫醇烯基涂層背離所述金屬納米線涂層的表面制備聚丙烯酸酯涂層，得到金屬納米線復合薄膜。本申請制備方法，工藝簡單，制備條件溫和，制備的金屬納米線復合薄膜通過高介電性能的聚硫醇烯基涂層和低折射性能的聚丙烯酸酯涂層的協(xié)同作用，既能夠降低霧度，減少反射增透，降低黃度，還賦予了優(yōu)異的環(huán)境可靠性。