銀納米線薄膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910744365.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110580973B 公開（公告）日 2021-07-20
申請公布號 CN110580973B 申請公布日 2021-07-20
分類號 H01B5/14;H01B13/00;H01B1/22 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳志雄;李奇琳;彭哲偉;羅曉雯;陳建良;甘堃;陳超云 申請（專利權）人 深圳市善柔科技有限公司
代理機構 深圳中一聯(lián)合知識產權代理有限公司 代理人 徐漢華
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道珠光社區(qū)珠光路珠光創(chuàng)新科技園4棟1層103
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于納米材料技術領域，具體涉及一種銀納米線薄膜的制備方法。該銀納米線薄膜的制備方法，包括如下步驟：提供初始銀納米線溶液；將具有氧化性的氣體通入所述初始銀納米銀線溶液中，在銀納米線表面進行氧化反應，得到氧化后的銀納米線溶液；將所述氧化后的銀納米線溶液涂覆在基板上進行干燥處理，得到銀納米線薄膜。銀納米線的表面被氧化后會在表面形成銀金屬化合物，這些銀金屬化合物會抑制銀納米線表面等離子共振的產生，從而使散射光的比例減少，進而降低霧度，而銀的金屬化合物一般不具備金屬光澤，因此能減少反射，這也進一步降低了霧度；因此，使最終制得的銀納米線薄膜的霧度顯著降低。