降低逆向漏電流的SiC MOSFET組件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710035516.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106920834A 公開（公告）日 2017-07-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN106920834A 申請(qǐng)公布日 2017-07-04
分類號(hào) H01L29/06;H01L29/36;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊;古一夫;陳俊峰;周雯 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門芯晶亮電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 廈門芯晶亮電子科技有限公司
地址 361028 福建省廈門市海滄區(qū)新樂(lè)東路9號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種降低逆向漏電流的SiC?MOSFET組件及其制造方法，降低逆向漏電流的SiC?MOSFET組件包括金屬層等，N型漏極層位于N型碳化硅基板的底端，柵極絕緣層、P型植入?yún)^(qū)都位于N型碳化硅基板的頂端，P型植入?yún)^(qū)位于P阱的下方，源極層、P阱都位于柵極絕緣層的側(cè)面，源極層位于P阱的上方，多晶硅層位于柵極絕緣層內(nèi)，源極層、多晶硅層、柵極絕緣層都位于絕緣層的下方，絕緣層位于金屬層內(nèi)。本發(fā)明改變空乏區(qū)和電場(chǎng)的分布，避免高電場(chǎng)出現(xiàn)在P型silicon接口的缺陷區(qū)域，因此可以降低組件的逆向漏電流。