降低逆向漏電流的GaN場效應(yīng)管組件胞架構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610488152.X 申請日 -
公開（公告）號 CN107546255A 公開（公告）日 2018-01-05
申請公布號 CN107546255A 申請公布日 2018-01-05
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊;胡建國;周雯 申請（專利權(quán)）人 廈門芯晶亮電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 廈門芯晶亮電子科技有限公司
地址 361028 福建省廈門市海滄區(qū)新樂東路9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供的一種降低逆向漏電流的GaN場效應(yīng)管組件胞架構(gòu)，包括：N型基板；N型GaN層沉積在N型基板上，在N型GaN層的兩側(cè)設(shè)有P型植入?yún)^(qū)；P型硅層沉積在N型GaN上；N型源極沉積在P型硅層上；柵極溝槽設(shè)置在N型GaN層上及P型硅層上，柵極溝槽連接N型源極與N型GaN層；N型多晶硅沉積在柵極溝槽內(nèi)；絕緣層包裹在柵極溝槽的外側(cè)；介電層沉積在P型硅層上；金屬層覆蓋介電層上。本發(fā)明在N型的GaN基板上局部去除一定的厚度和形成一個重?fù)诫s的P型區(qū)域，由于P型的濃度大于N型GaN的摻雜濃度因此空乏區(qū)主要延伸在N型GaN區(qū)域，另外由于屏蔽電場出現(xiàn)在接口結(jié)構(gòu)缺陷區(qū)域，因此可以降低接口缺陷所造成的逆向漏電流。