SiC MOSFET器件單元及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610080830.9 申請日 -
公開（公告）號 CN105576032B 公開（公告）日 2019-03-12
申請公布號 CN105576032B 申請公布日 2019-03-12
分類號 H01L29/78（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊; 陳俊峰; 古一夫; 周雯 申請（專利權）人 廈門芯晶亮電子科技有限公司
代理機構 上海漢聲知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 廈門芯晶亮電子科技有限公司
地址 361028 福建省廈門市海滄區(qū)新樂東路9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種SiC MOSFET器件單元及其制造方法，SiC MOSFET器件單元包括源極層、絕緣層、N+源極層、多晶硅柵層、柵極絕緣層、漏極層、P阱、P+區(qū)、P型植入?yún)^(qū)，絕緣層位于源極層和多晶硅柵層之間，柵極絕緣層位于多晶硅柵層的外側，N+源極層位于柵極絕緣層和P+區(qū)之間，漏極層位于P型植入?yún)^(qū)的下方，P+區(qū)位于P阱內，P型植入?yún)^(qū)位于柵極絕緣層的下面。本發(fā)明在以高參雜濃度的N型SiC為襯底區(qū)的狀況下，仍可使用傳統(tǒng)的P型Silicon不需提高P井區(qū)的參雜濃度和深度，可以提供低導通電壓和低導通電阻的特性且沒有電子遷移率下降的問題。