SiC MOSFET器件單元及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610080830.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105576032B 公開(kāi)（公告）日 2019-03-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN105576032B 申請(qǐng)公布日 2019-03-12
分類(lèi)號(hào) H01L29/78（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊; 陳俊峰; 古一夫; 周雯 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 廈門(mén)芯晶亮電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 廈門(mén)芯晶亮電子科技有限公司
地址 361028 福建省廈門(mén)市海滄區(qū)新樂(lè)東路9號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種SiC MOSFET器件單元及其制造方法，SiC MOSFET器件單元包括源極層、絕緣層、N+源極層、多晶硅柵層、柵極絕緣層、漏極層、P阱、P+區(qū)、P型植入?yún)^(qū)，絕緣層位于源極層和多晶硅柵層之間，柵極絕緣層位于多晶硅柵層的外側(cè)，N+源極層位于柵極絕緣層和P+區(qū)之間，漏極層位于P型植入?yún)^(qū)的下方，P+區(qū)位于P阱內(nèi)，P型植入?yún)^(qū)位于柵極絕緣層的下面。本發(fā)明在以高參雜濃度的N型SiC為襯底區(qū)的狀況下，仍可使用傳統(tǒng)的P型Silicon不需提高P井區(qū)的參雜濃度和深度，可以提供低導(dǎo)通電壓和低導(dǎo)通電阻的特性且沒(méi)有電子遷移率下降的問(wèn)題。