碳化硅器件中的Trench MOSFET的柵氧化加工方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610018524.2 申請日 -
公開（公告）號 CN105513962A 公開（公告）日 2016-04-20
申請公布號 CN105513962A 申請公布日 2016-04-20
分類號 H01L21/324(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊;胡建國;周雯 申請（專利權）人 廈門芯晶亮電子科技有限公司
代理機構 上海漢聲知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 郭國中
地址 200233 上海市徐匯區(qū)宜山路700號83幢102B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種碳化硅器件中的Trench?MOSFET的柵氧化加工方法，其包括：步驟1：在N型低摻雜外延碳化硅的表面進行退火；步驟2：在所述的退火產(chǎn)物的表面植入含硅CVD膜的步驟；步驟3：對含硅CVD膜進行熱處理，完成氧化過程。本發(fā)明的工藝處理非常新穎，本發(fā)明的方法既改善了SiC/SiO2界面態(tài)，又提高了熱氧化的生長速率并得到了控制Trench?MOSFET閾值的高質量介質-柵氧化層；本發(fā)明的方法簡便易行，便于進行大規(guī)模的商業(yè)化生產(chǎn)。