SiC MOSFET器件單元

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201620115677.4 申請日 -
公開（公告）號 CN205621741U 公開（公告）日 2016-10-05
申請公布號 CN205621741U 申請公布日 2016-10-05
分類號 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊;陳俊峰;古一夫;周雯 申請（專利權）人 廈門芯晶亮電子科技有限公司
代理機構 上海漢聲知識產權代理有限公司 代理人 上海晶亮電子科技有限公司;廈門芯晶亮電子科技有限公司
地址 200233 上海市徐匯區(qū)宜山路700號83幢102B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種SiC?MOSFET器件單元，SiC?MOSFET器件單元包括源極層、絕緣層、N+源極層、多晶硅柵層、柵極絕緣層、漏極層、P阱、P+區(qū)、P型植入?yún)^(qū)，絕緣層位于源極層和多晶硅柵層之間，柵極絕緣層位于多晶硅柵層的外側，N+源極層位于柵極絕緣層和P+區(qū)之間，漏極層位于P型植入?yún)^(qū)的下方，P+區(qū)位于P阱內，P型植入?yún)^(qū)位于柵極絕緣層的下面。本實用新型在以高參雜濃度的N型SiC為襯底區(qū)的狀況下，仍可使用傳統(tǒng)的P型Silicon不需提高P井區(qū)的參雜濃度和深度，可以提供低導通電壓和低導通電阻的特性且沒有電子遷移率下降的問題。