SiC MOSFET器件單元
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201620115677.4 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN205621741U | 公開(公告)日 | 2016-10-05 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN205621741U | 申請(qǐng)公布日 | 2016-10-05 |
分類號(hào) | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 廖奇泊;陳俊峰;古一夫;周雯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 廈門芯晶亮電子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 上海晶亮電子科技有限公司;廈門芯晶亮電子科技有限公司 |
地址 | 200233 上海市徐匯區(qū)宜山路700號(hào)83幢102B室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種SiC?MOSFET器件單元,SiC?MOSFET器件單元包括源極層、絕緣層、N+源極層、多晶硅柵層、柵極絕緣層、漏極層、P阱、P+區(qū)、P型植入?yún)^(qū),絕緣層位于源極層和多晶硅柵層之間,柵極絕緣層位于多晶硅柵層的外側(cè),N+源極層位于柵極絕緣層和P+區(qū)之間,漏極層位于P型植入?yún)^(qū)的下方,P+區(qū)位于P阱內(nèi),P型植入?yún)^(qū)位于柵極絕緣層的下面。本實(shí)用新型在以高參雜濃度的N型SiC為襯底區(qū)的狀況下,仍可使用傳統(tǒng)的P型Silicon不需提高P井區(qū)的參雜濃度和深度,可以提供低導(dǎo)通電壓和低導(dǎo)通電阻的特性且沒有電子遷移率下降的問題。 |
