SiC MOSFET器件單元

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201620115677.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN205621741U 公開（公告）日 2016-10-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN205621741U 申請(qǐng)公布日 2016-10-05
分類號(hào) H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊;陳俊峰;古一夫;周雯 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門芯晶亮電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海晶亮電子科技有限公司;廈門芯晶亮電子科技有限公司
地址 200233 上海市徐匯區(qū)宜山路700號(hào)83幢102B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種SiC?MOSFET器件單元，SiC?MOSFET器件單元包括源極層、絕緣層、N+源極層、多晶硅柵層、柵極絕緣層、漏極層、P阱、P+區(qū)、P型植入?yún)^(qū)，絕緣層位于源極層和多晶硅柵層之間，柵極絕緣層位于多晶硅柵層的外側(cè)，N+源極層位于柵極絕緣層和P+區(qū)之間，漏極層位于P型植入?yún)^(qū)的下方，P+區(qū)位于P阱內(nèi)，P型植入?yún)^(qū)位于柵極絕緣層的下面。本實(shí)用新型在以高參雜濃度的N型SiC為襯底區(qū)的狀況下，仍可使用傳統(tǒng)的P型Silicon不需提高P井區(qū)的參雜濃度和深度，可以提供低導(dǎo)通電壓和低導(dǎo)通電阻的特性且沒有電子遷移率下降的問題。