一種多晶硅鑄錠工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610694941.9 申請日 -
公開（公告）號 CN106283182B 公開（公告）日 2019-09-27
申請公布號 CN106283182B 申請公布日 2019-09-27
分類號 C30B28/06;C30B29/06;C30B33/02;C03C17/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉波波;賀鵬;虢虎平;史燕凱 申請（專利權(quán)）人 西安華晶電子技術(shù)股份有限公司
代理機構(gòu) 西安創(chuàng)知專利事務(wù)所 代理人 西安華晶電子技術(shù)股份有限公司
地址 710077 陜西省西安市高新區(qū)錦業(yè)二路91號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多晶硅鑄錠工藝，包括以下步驟：一、輔助加熱器安裝：在多晶硅鑄錠爐內(nèi)安裝輔助加熱器；輔助加熱器為布設(shè)在坩堝下方的底部加熱器；二、裝料；三、預(yù)熱；四、熔化，過程如下：401、六面加熱熔化；402、五面加熱熔化；403、后續(xù)熔化；五、熔化后至長晶前處理，過程如下：501、降溫；502、升溫；六、長晶；七、退火及冷卻：步驟六中長晶過程完成后，進行退火與冷卻，并獲得加工成型的多晶硅鑄錠。本發(fā)明工藝步驟簡單、設(shè)計合理且實現(xiàn)簡便、使用效果好，采用六面加熱裝置進行加熱，同時通過增設(shè)熔化后至長晶前處理步驟，并對長晶工藝進行調(diào)整，能有效減小晶粒度，提高鑄錠成品的質(zhì)量。