一種多晶硅半熔鑄錠方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610694071.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN106119956B | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-04-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106119956B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-04-12 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B28/06;C30B29/06 | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 李建軍;劉波波;賀鵬;藺文;虢虎平 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 西安華晶電子技術(shù)股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安創(chuàng)知專(zhuān)利事務(wù)所 | 代理人 | 西安華晶電子技術(shù)股份有限公司 |
| 地址 | 710077 陜西省西安市高新區(qū)錦業(yè)二路91號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種多晶硅半熔鑄錠方法，包括步驟：一、預(yù)熱：采用多晶硅鑄錠爐對(duì)裝于坩堝內(nèi)的硅料進(jìn)行預(yù)熱，多晶硅鑄錠爐的頂側(cè)比系數(shù)c＝1；二、熔化及后期排雜，過(guò)程如下：201、熔化；202、熔化后期排雜：采用多晶硅鑄錠爐對(duì)硅料進(jìn)行繼續(xù)熔化，繼續(xù)熔化時(shí)間為15min～40min；繼續(xù)熔化過(guò)程中，通過(guò)調(diào)整頂部加熱器和/或四個(gè)側(cè)部加熱器的加熱功率使0.8≤c＜1；三、長(zhǎng)晶及同步排雜：長(zhǎng)晶過(guò)程中，通過(guò)調(diào)整頂部加熱器和/或四個(gè)側(cè)部加熱器的加熱功率使0.3≤c＜0.9；四、退火及冷卻。本發(fā)明方法步驟簡(jiǎn)單、設(shè)計(jì)合理且實(shí)現(xiàn)方便、使用效果好，能解決現(xiàn)有多晶硅半熔鑄錠工藝存在的排雜效果較差、鑄錠成品質(zhì)量不能保證等問(wèn)題。 |
