一種多晶硅半熔鑄錠用熔料及長(zhǎng)晶工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610694261.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN106087045B 公開(kāi)（公告）日 2019-05-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN106087045B 申請(qǐng)公布日 2019-05-07
分類號(hào) C30B28/06（2006.01）I; C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 劉波波; 賀鵬; 藺文; 虢虎平; 史燕凱 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安華晶電子技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安創(chuàng)知專利事務(wù)所 代理人 西安華晶電子技術(shù)股份有限公司
地址 710077 陜西省西安市高新區(qū)錦業(yè)二路91號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種多晶硅半熔鑄錠用熔料及長(zhǎng)晶工藝，步驟一、熔化及后期排雜，過(guò)程如下：101、熔化：按照常規(guī)的多晶硅半熔鑄錠法，采用多晶硅鑄錠爐對(duì)裝于坩堝內(nèi)的硅料進(jìn)行熔化；102、熔化后期排雜：采用多晶硅鑄錠爐對(duì)裝于坩堝內(nèi)的硅料繼續(xù)熔化，繼續(xù)熔化時(shí)間為15min～40min；繼續(xù)熔化過(guò)程中，通過(guò)調(diào)整頂部加熱器和/或四個(gè)側(cè)部加熱器的加熱功率，使0.8≤c＜1；二、長(zhǎng)晶及同步排雜：長(zhǎng)晶過(guò)程中，通過(guò)調(diào)整頂部加熱器和/或四個(gè)所述側(cè)部加熱器的加熱功率，使0.3≤c＜0.9。本發(fā)明工藝步驟簡(jiǎn)單、設(shè)計(jì)合理且實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)便、使用效果，在熔料后期及長(zhǎng)晶過(guò)程中同步進(jìn)行排雜，排雜效果好，能有效減少硬質(zhì)點(diǎn)，并提高鑄錠成品的質(zhì)量。