一種減小晶粒度的多晶硅鑄錠方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610694944.2 申請日 -
公開（公告）號 CN106087046B 公開（公告）日 2019-03-08
申請公布號 CN106087046B 申請公布日 2019-03-08
分類號 C30B28/06（2006.01）I; C30B29/06（2006.01）I; C30B33/02（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 虢虎平; 劉波波; 賀鵬; 史燕凱 申請（專利權(quán)）人 西安華晶電子技術(shù)股份有限公司
代理機構(gòu) 西安創(chuàng)知專利事務(wù)所 代理人 西安華晶電子技術(shù)股份有限公司
地址 710077 陜西省西安市高新區(qū)錦業(yè)二路91號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種減小晶粒度的多晶硅鑄錠方法，包括以下步驟：一、裝料；二、預(yù)熱；三、熔化；四、熔化后至長晶前處理：401、降溫：將多晶硅鑄錠爐的加熱溫度由T2降至T3，并保溫15～25min，T2＝1540～1560℃，T3＝1410～1420℃；402、升溫：將多晶硅鑄錠爐的加熱溫度由T3升至T4，并保溫8～15min，T4＝1435～1445℃；五、長晶：將多晶硅鑄錠爐的加熱溫度控制在T4并進行定向凝固，直至完成長晶過程；六、退火及冷卻。本發(fā)明方法步驟簡單、設(shè)計合理且實現(xiàn)簡便、使用效果好，通過增設(shè)熔化后至長晶前處理步驟，并對長晶工藝進行調(diào)整，能有效減小晶粒度，提高鑄錠成品的質(zhì)量。