一種角度可控的SiC襯底緩坡刻蝕方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711220783.4 申請日 -
公開（公告）號 CN108063087B 公開（公告）日 2019-10-29
申請公布號 CN108063087B 申請公布日 2019-10-29
分類號 H01L21/027（2006.01）I; H01L21/033（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱繼紅; 藺增金; 趙小瑞; 張志文 申請（專利權(quán)）人 北京燕東微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 北京正理專利代理有限公司 代理人 張雪梅
地址 100015 北京市朝陽區(qū)東直門外西八間房萬紅西街2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種角度可控的SiC襯底緩坡刻蝕方法，其特征在于，步驟包括：在SiC襯底上形成抗刻蝕掩模層；在抗刻蝕掩模層上形成形貌控制掩模層；腐蝕形貌控制掩模層，包括：在形貌控制掩模層上涂覆第一光刻膠層，對第一光刻膠層進行光刻，形成形貌控制掩模層的腐蝕窗口，利用腐蝕窗口對形貌控制掩模層進行腐蝕，以及在形貌控制掩模層上涂覆第二光刻膠層，對第二光刻膠層進行光刻，在形貌控制掩模層上形成刻蝕窗口，利用刻蝕窗口對形貌控制掩模層進行側(cè)蝕，在光刻膠層與抗刻蝕掩模層之間形成刻蝕間隙；腐蝕抗刻蝕掩模層，在抗刻蝕掩模層上形成緩坡角度；以及刻蝕襯底，形成具有緩坡角度的襯底。