用于薄片晶體的二維定向誤差精密測量方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810813573.4 申請日 -
公開（公告）號 CN108613641B 公開（公告）日 2019-11-12
申請公布號 CN108613641B 申請公布日 2019-11-12
分類號 G01B15/00（2006.01）I; G01N23/20（2018.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 安寧; 吳華峰; 李朝陽; 徐勇 申請（專利權）人 安徽創(chuàng)譜儀器科技有限公司
代理機構 合肥誠興知識產權代理有限公司 代理人 安徽創(chuàng)譜儀器科技有限公司
地址 230000 安徽省合肥市蜀山區(qū)高新區(qū)皖水路228號1幢八層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于薄片晶體的二維定向誤差精密測量方法，方法中將待測晶體樣品固定在吸板上，探測器與X?射線夾角旋轉至Bragg角的2倍，利用精密轉臺對待測晶體樣品繞z方向的θ角進行掃描，將待測晶體樣品的相位角即繞y方向轉動改變直到待測晶體樣品的相位角完成360°旋轉。采用上述方法可以實現二維定向誤差測量；不依賴標準晶體，測量結果精度高；可以得到定向誤差大小及方向兩方面信息。