標準單元庫的形成方法及相關裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111407939.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114065676A 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN114065676A 申請公布日 2022-02-18
分類號 G06F30/3312（2020.01）I;G06F30/3315（2020.01）I;G06F30/367（2020.01）I 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 戴明 申請（專利權）人 成都海光微電子技術有限公司
代理機構 上海知錦知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 曹守彬;李麗
地址 610041四川省成都市中國（四川）自由貿(mào)易試驗區(qū)成都高新區(qū)天府大道中段1366號2棟天府軟件園E5座12層23-32號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁藴蕟卧獛斓男纬煞椒ǎ韩@取標準單元庫的第一時序模型文件；獲取預定工藝、預定溫度和各個調(diào)整電壓條件下的標準單元庫的各個第二性能表征參數(shù)組，其中調(diào)整電壓為預定電壓降低后的電壓；根據(jù)第一時序模型文件的第一性能表征參數(shù)組的性能表征參數(shù)值、各個第二性能表征參數(shù)組的性能表征參數(shù)值、預定電壓和各個調(diào)整電壓，獲取分別與各個性能表征參數(shù)對應的退化函數(shù)，各個退化函數(shù)適于分別表示各個性能表征參數(shù)與電壓降之間的關系；根據(jù)第一時序模型文件和各個退化函數(shù)生成標準單元庫的第二時序模型文件。這樣，可以實現(xiàn)利用靜態(tài)時序分析方法實現(xiàn)電壓降下的時序分析驗證。