一種負載到基材上的去合金法獲得納米多孔銀的方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201510531888.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN105112958B | 公開(公告)日 | 2017-09-26 |
申請公布號 | CN105112958B | 申請公布日 | 2017-09-26 |
分類號 | C25D3/56(2006.01)I;C25D3/60(2006.01)I;C25D5/48(2006.01)I | 分類 | 電解或電泳工藝;其所用設備〔4〕; |
發(fā)明人 | 崔國峰;林圖強 | 申請(專利權)人 | 廣州豐江微電子有限公司 |
代理機構 | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 | 代理人 | 中山大學;廣州豐江微電子有限公司 |
地址 | 510275 廣東省廣州市海珠區(qū)新港西路135號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種負載到基材上的去合金法獲得納米多孔銀的方法,包括以下步驟:1)在導電基材表面電鍍一層銀錫合金;2)去除銀錫合金中的錫,得到納米多孔銀。或者,包括步驟:1)將絕緣基材表面進行表面導電化處理;2)在經過導電化處理的表面電鍍一層銀錫合金;3)去除銀錫合金中的錫,得到納米多孔銀。本發(fā)明可以在導電基材與絕緣體基材上制備納米多孔銀,該納米多孔銀具備分布均勻的孔洞結構,在電化學傳感器和生物活性傳感器上有潛在的應用前景。 |
