一種負(fù)載到基材上的去合金法獲得納米多孔銀的方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510531888.6 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN105112958A | 公開(公告)日 | 2015-12-02 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN105112958A | 申請(qǐng)公布日 | 2015-12-02 |
分類號(hào) | C25D3/56(2006.01)I;C25D3/60(2006.01)I;C25D5/48(2006.01)I | 分類 | 電解或電泳工藝;其所用設(shè)備〔4〕; |
發(fā)明人 | 崔國峰;林圖強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 廣州豐江微電子有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 中山大學(xué);廣州豐江微電子有限公司 |
地址 | 510275 廣東省廣州市海珠區(qū)新港西路135號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種負(fù)載到基材上的去合金法獲得納米多孔銀的方法,包括以下步驟:1)在導(dǎo)電基材表面電鍍一層銀錫合金;2)去除銀錫合金中的錫,得到納米多孔銀。或者,包括步驟:1)將絕緣基材表面進(jìn)行表面導(dǎo)電化處理;2)在經(jīng)過導(dǎo)電化處理的表面電鍍一層銀錫合金;3)去除銀錫合金中的錫,得到納米多孔銀。本發(fā)明可以在導(dǎo)電基材與絕緣體基材上制備納米多孔銀,該納米多孔銀具備分布均勻的孔洞結(jié)構(gòu),在電化學(xué)傳感器和生物活性傳感器上有潛在的應(yīng)用前景。 |
