一種光電探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911382842.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111129202B 公開（公告）日 2021-07-06
申請公布號 CN111129202B 申請公布日 2021-07-06
分類號 H01L31/109;H01L31/0232 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡曉;肖希;王磊;陳代高;張宇光;李淼峰 申請（專利權(quán)）人 武漢光谷信息光電子創(chuàng)新中心有限公司
代理機構(gòu) 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李路遙;張穎玲
地址 430074 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)關(guān)山街郵科院路88號1幢1-3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 為解決現(xiàn)有光電探測器具有飽和吸收效應(yīng)明顯、響應(yīng)度較低的問題，本申請實施例提供一種光電探測器，涉及光電探測器技術(shù)領(lǐng)域，所述光電探測器包括：硅層，所述硅層包括第一摻雜類型的摻雜區(qū)；與所述硅層接觸的鍺層，所述鍺層包括第二摻雜類型的摻雜區(qū)；第一層波導(dǎo)，所述第一層波導(dǎo)包括設(shè)置在所述鍺層上方的第一探測耦合區(qū)；第二層波導(dǎo)，所述第二層波導(dǎo)包括設(shè)置在所述鍺層側(cè)面的第二探測耦合區(qū)；其中，所述第一層波導(dǎo)和所述第二層波導(dǎo)用于傳輸光信號，所述第一層波導(dǎo)和所述第二層波導(dǎo)分別通過所述第一探測耦合區(qū)和所述第二探測耦合區(qū)將所述光信號耦合至所述鍺層；所述鍺層用于探測所述光信號，并將所述光信號轉(zhuǎn)換為電信號。