一種增益峰可調(diào)的鍺硅光電探測(cè)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911382300.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111129200B 公開（公告）日 2021-08-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN111129200B 申請(qǐng)公布日 2021-08-13
分類號(hào) H01L31/101;H01L31/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張紅廣;肖希;王磊;胡曉;陳代高;李維忠 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢光谷信息光電子創(chuàng)新中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李路遙;張穎玲
地址 430074 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)關(guān)山街郵科院路88號(hào)1幢1-3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)涉及一種增益峰可調(diào)的鍺硅光電探測(cè)器，所述鍺硅光電探測(cè)器自下而上包括：硅襯底層，埋氧層，硅波導(dǎo)層，鍺有源層和絕緣覆蓋層，所述鍺硅光電探測(cè)器還包括布置在所述鍺有源層上的可調(diào)的帶寬增益組件。本發(fā)明提供的具有可調(diào)的帶寬增益組件的鍺硅光電探測(cè)器，通過可調(diào)的帶寬增益組件能夠彌補(bǔ)由于鍺硅光電探測(cè)器不同個(gè)體間的差異性引起的帶寬增益的差異性問題，實(shí)現(xiàn)了針對(duì)每一個(gè)鍺硅光電探測(cè)器的最佳帶寬增益。