一種增益峰可調(diào)的鍺硅光電探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911382300.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111129200B 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN111129200B 申請公布日 2021-08-13
分類號 H01L31/101;H01L31/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張紅廣;肖希;王磊;胡曉;陳代高;李維忠 申請（專利權(quán)）人 武漢光谷信息光電子創(chuàng)新中心有限公司
代理機構(gòu) 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李路遙;張穎玲
地址 430074 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)關(guān)山街郵科院路88號1幢1-3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種增益峰可調(diào)的鍺硅光電探測器，所述鍺硅光電探測器自下而上包括：硅襯底層，埋氧層，硅波導(dǎo)層，鍺有源層和絕緣覆蓋層，所述鍺硅光電探測器還包括布置在所述鍺有源層上的可調(diào)的帶寬增益組件。本發(fā)明提供的具有可調(diào)的帶寬增益組件的鍺硅光電探測器，通過可調(diào)的帶寬增益組件能夠彌補由于鍺硅光電探測器不同個體間的差異性引起的帶寬增益的差異性問題，實現(xiàn)了針對每一個鍺硅光電探測器的最佳帶寬增益。