一種結(jié)構改良的LED芯片
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201110069369.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN102148309B | 公開(公告)日 | 2013-09-18 |
申請公布號 | CN102148309B | 申請公布日 | 2013-09-18 |
分類號 | H01L33/46(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 王維昀;周愛新 | 申請(專利權)人 | 東莞市福地電子材料有限公司 |
代理機構 | 東莞市華南專利商標事務所有限公司 | 代理人 | 張明 |
地址 | 523082 廣東省東莞市南城宏圖路39號東莞市福地電子材料有限公司 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及LED制備技術領域,尤其涉及一種結(jié)構改良的LED芯片。本發(fā)明所述的一種結(jié)構改良的LED芯片,包括有從下至上依次層疊設置的襯底、N型半導體層、有源層以及P型半導體層,所述襯底的下方層疊設置有反射鏡,反射鏡與襯底之間分布有顆粒狀的銀粒子,銀粒子的一側(cè)壁粘附于襯底的下表面,銀粒子的其余側(cè)壁與反射鏡貼合。位于襯底下方的銀粒子與反射鏡組合并形成復合反射鏡,相對于單一金屬反射鏡或者介電質(zhì)反射鏡而言,該復合反射鏡具有較高的表面粗糙度并能夠?qū)⒂性磳影l(fā)出的光線由鏡面反射狀態(tài)變成漫反射狀態(tài),漫反射可以增加透出本發(fā)明的出光面的光線;所以,本發(fā)明能夠有效地提高出光效率并最終提升照明亮度。 |
