一種LED芯片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110069368.X 申請日 -
公開（公告）號 CN102157641A 公開（公告）日 2011-08-17
申請公布號 CN102157641A 申請公布日 2011-08-17
分類號 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;C23C14/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王維昀;周愛新 申請（專利權）人 東莞市福地電子材料有限公司
代理機構 東莞市華南專利商標事務所有限公司 代理人 張明
地址 523082 廣東省東莞市南城宏圖路39號東莞市福地電子材料有限公司
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及LED照明燈具技術領域，尤其涉及一種LED芯片的制備方法。本發(fā)明所述一種LED芯片的制備方法依次通過蒸鍍銀薄膜——冷卻——銀薄膜快速退火——冷卻——蒸鍍TiO2/SiO2反射層——冷卻工序制備LED芯片，按照上述工序制備而成的LED芯片主要利用反射層與藍寶石基板之間的銀顆粒來增大反射層的反射部的粗糙度，進而將有源層發(fā)出的光線由鏡面反射狀態(tài)變成漫反射狀態(tài)并最終增加透出LED芯片的出光面的光線；所以，上述LED芯片的制備方法能夠有效地制備出高出光效率以及高亮度的LED芯片。