一種具有高溫磁穩(wěn)定性的軟磁顆粒膜及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010735717.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111863378A | 公開（公告）日 | 2020-10-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111863378A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-30 |
| 分類號(hào) | H01F10/18(2006.01)I;H01F41/14(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 鄧畢力;張朋;王波;王玉川;潘振海;羅頂飛;晉立從;徐敏義 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 安徽智磁新材料科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京挺立專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 安徽智磁新材料科技有限公司 |
| 地址 | 236000安徽省阜陽市潁泉區(qū)阜陽循環(huán)經(jīng)濟(jì)園區(qū)周棚路82號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種具有高溫磁穩(wěn)定性的軟磁顆粒膜及其制備方法，所述軟磁顆粒膜為多層結(jié)構(gòu)，為中間的雙相納米晶軟磁薄膜和位于所述雙相納米晶軟磁薄膜上側(cè)的多個(gè)交疊重復(fù)結(jié)構(gòu)和下側(cè)的多個(gè)交疊重復(fù)結(jié)構(gòu)；所述雙相納米晶軟磁薄膜的結(jié)構(gòu)式為((FezA1?z)aCrbMcNbd)1?x?(R2O3)x，所述A元素為鐵磁性過渡金屬元素，所述M元素為非磁性過渡金屬；所述雙相納米晶軟磁薄膜的厚度為25μm～35μm，所述納米石墨烯層厚度為15μm～20μm，所述納米SiO2層為10μm～15μm。本發(fā)明提供一種具有高溫磁穩(wěn)定性的軟磁顆粒膜能夠在高溫下具有良好的磁導(dǎo)率、電阻率高、可適用于高頻段，高溫下飽和磁化強(qiáng)度高。?? |
