一種抗電磁干擾的軟磁顆粒膜及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010735170.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111863372B | 公開（公告）日 | 2021-08-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111863372B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-20 |
| 分類號(hào) | H01F1/33;H01F41/00;H05K9/00;C23C14/06;C23C14/34;C23C24/04;C23C28/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 鄧畢力;潘振海;王玉川;徐敏義;羅頂飛;晉立從;張朋;王波 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 安徽智磁新材料科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京挺立專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 沃趙新 |
| 地址 | 236000 安徽省阜陽(yáng)市潁泉區(qū)阜陽(yáng)循環(huán)經(jīng)濟(jì)園區(qū)周棚路82號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種抗電磁干擾的軟磁顆粒膜及其制備方法，所述軟磁顆粒膜為多層結(jié)構(gòu)，為中間的雙相納米晶軟磁薄膜和位于所述雙相納米晶軟磁薄膜兩側(cè)的多個(gè)交疊重復(fù)結(jié)構(gòu)，所述交疊重復(fù)結(jié)構(gòu)包括一層納米ZnO層和一層納米六方氮化硼層；所述雙相納米晶軟磁薄膜的結(jié)構(gòu)式為((FezA1?z)aCobQcBad)1?x?(RO2)x；所述雙相納米晶軟磁薄膜為bbc結(jié)構(gòu)的α?(FezA1?z)aCobQcBad納米金屬顆粒被RO2絕緣介質(zhì)納米顆粒包裹結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過添加RO2摻雜包裹bbc結(jié)構(gòu)的α?(FezA1?z)aCobQcBad納米金屬，有效降低矯頑力，使軟磁性能得到提高，有利于薄膜的顆粒細(xì)化。 |
