半導(dǎo)體器件及其制造方法、具有半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010260243.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111564550B 公開（公告）日 2022-07-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN111564550B 申請(qǐng)公布日 2022-07-12
分類號(hào) H01L41/047（2006.01）I;H01L41/09（2006.01）I;H01L41/293（2013.01）I;H01L27/20（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龐慰;楊清瑞;張孟倫 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 諾思（天津）微系統(tǒng)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京金誠同達(dá)律師事務(wù)所 代理人 -
地址 300462天津市濱海新區(qū)開發(fā)區(qū)西區(qū)新業(yè)五街27號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，包括：基底，具有在基底的厚度方向上相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè)；第一組諧振器單元，設(shè)置于基底的第一側(cè)；和第二組諧振器單元，設(shè)置于基底的第二側(cè)，其中：每一組諧振器單元具有至少一個(gè)諧振器單元，且第一組諧振器單元和第二組諧振器單元中至少一組為體聲波諧振器單元。本發(fā)明還涉及一種上述半導(dǎo)體器件的制造方法以及具有上述半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備。