一種基于p型硅微通道表面均勻納米修飾的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510122203.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104828774B 公開（公告）日 2017-01-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN104828774B 申請(qǐng)公布日 2017-01-04
分類號(hào) B82B3/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;C23C18/36(2006.01)I;C25D3/12(2006.01)I 分類 超微技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 王連衛(wèi);李勱;徐少輝;朱一平 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海歐普泰科技創(chuàng)業(yè)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海伯瑞杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳澤群
地址 200062 上海市普陀區(qū)中山北路3663號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及納米材料與微結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基于均勻的化學(xué)鍍鎳硅微通道襯底結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)均勻納米結(jié)構(gòu)材料的方法，其步驟包括：通過激光切割出所需形狀的從硅襯底剝離的硅微通道，用化學(xué)鍍鎳的方法在微通道表面均勻生長(zhǎng)一層鎳導(dǎo)電層；調(diào)整沉積鎳的時(shí)間使得所得到的鍍鎳硅微通道的電阻低于兩歐姆；然后在鍍鎳微通道表面通過水熱法生長(zhǎng)一層納米結(jié)構(gòu)，這層納米結(jié)構(gòu)是由CoMoO4這種復(fù)合金屬氧化物構(gòu)成的，本發(fā)明利用水熱法在微米孔徑的鍍鎳硅微通道表面和內(nèi)部生長(zhǎng)納米結(jié)構(gòu)，提高了結(jié)構(gòu)的均勻性與穩(wěn)定性，避免了物理方法輸運(yùn)材料到微通道內(nèi)部造成的微通道的嚴(yán)重堵塞，同時(shí)自身具有良好的電化學(xué)活性，有望應(yīng)用于新能源領(lǐng)域。