一種改進(jìn)硅微通道板表面形貌的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410419030.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104326439B 公開（公告）日 2016-09-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN104326439B 申請(qǐng)公布日 2016-09-21
分類號(hào) B81C1/00(2006.01)I;H01J9/12(2006.01)I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 王連衛(wèi);徐雨薇;徐少輝;朱一平 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海歐普泰科技創(chuàng)業(yè)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海伯瑞杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳澤群
地址 200062 上海市普陀區(qū)中山北路3663號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種改進(jìn)硅微通道板表面形貌的方法，其步驟為：(1)在硅微通道板完成刻蝕后，采用激光切割使之形成所需大小的圓形薄片；(2)采用PECVD在硅微通道板的兩側(cè)依次淀積上300～500nm的SiO2層和100～200nm的Si3N4層薄膜，雙面對(duì)稱等厚；(3)按照干氧?濕氧?干氧的順序進(jìn)行氧化，氧化的溫度為900?1100℃，干氧的時(shí)間控制在15?20分鐘，濕氧的時(shí)間控制在40?90分鐘；得到改進(jìn)表面形貌的硅微通道板。本發(fā)明具有以下有益效果：解決了采取氧化工藝制作絕緣層，由于表面屬于自由端，在氧化過程中由于競(jìng)爭(zhēng)機(jī)制，出現(xiàn)交叉處凸起這種使表面凹凸不平的問題。本發(fā)明所采用的氧化方法形成絕緣層的工藝，其成品率可以達(dá)到80％。