一種柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽電池及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410295530.3 申請日 -
公開（公告）號 CN104201234A 公開（公告）日 2014-12-10
申請公布號 CN104201234A 申請公布日 2014-12-10
分類號 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/072(2012.01)I;H01L31/036(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 余林蔚;李成棟 申請（專利權）人 南京薩科勒納米科技有限公司
代理機構 南京瑞弘專利商標事務所（普通合伙） 代理人 陳建和
地址 211106 江蘇省南京市江寧區(qū)天元路1009號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽電池的制備方法，1)采用厚度80～500um，電阻率0.1～1000Ω·cm的晶體硅片作為襯底；2)先在晶體硅襯底上制作太陽電池正面結(jié)構或半成品正面結(jié)構；3)保護好已制作的正面結(jié)構從背面減薄襯底：在已制作的太陽電池正面結(jié)構或半成品正面結(jié)構上制作100nm～100um的保護層或同時在背面也制作邊框保護，將晶體硅襯底從背面減薄至5～50um；去除保護層或同時包括背面邊框保護層；4)制作背面結(jié)構：在背面淀積異質(zhì)結(jié)硅基鈍化層2～100nm及背面場2～50nm。異質(zhì)結(jié)結(jié)構大幅度的提高電池的轉(zhuǎn)換效率、開路電壓、短路電流等；光電性能優(yōu)良的晶體硅作為柔性電池的吸收基區(qū)，是獲得較高轉(zhuǎn)換效率的保證。