一種快速清洗大面積真空腔室內(nèi)累積薄膜的方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011370190.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112609168A | 公開(公告)日 | 2021-04-06 |
申請公布號 | CN112609168A | 申請公布日 | 2021-04-06 |
分類號 | C23C16/52(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 藍(lán)仕虎;張麗平;劉正新;孟凡英;程瓊;周華;謝毅 | 申請(專利權(quán))人 | 中威新能源(成都)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 成都弘毅天承知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 軒勇麗 |
地址 | 610000四川省成都市西南航空港經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)內(nèi) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種快速清洗大面積真空腔室內(nèi)累積薄膜的方法,涉及半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,包括以下步驟:步驟S1:第一步清洗,向沉積腔室通入第一清洗氣體,產(chǎn)生等離子體,調(diào)整第一壓力和第一清洗氣體流量將所述等離子體的滯留時間調(diào)整為第一滯留時間,清洗時間為第一清洗時間;步驟S2:第二步清洗,向沉積腔室通入第二清洗氣體,產(chǎn)生等離子體,調(diào)整第二壓力和第二清洗氣體流量將所述等離子體的滯留時間調(diào)整為第二滯留時間,清洗時間為第二清洗時間。采用兩種或者多種氣體滯留時間相組合的方式對沉積腔內(nèi)表面和托盤進(jìn)行清洗,減少清洗時間,又可以提高清洗均勻性,同時降低清洗氣體的使用量,提升設(shè)備有效生產(chǎn)的時間,實現(xiàn)了產(chǎn)能增加而成本降低。?? |
