金氧半場效晶體管器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021210661.4 申請日 -
公開（公告）號 CN213366601U 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN213366601U 申請公布日 2021-06-04
分類號 H01L29/78;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳譯;陸佳順;楊潔雯 申請（專利權(quán)）人 蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 馬明渡;王健
地址 215000 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城NW20幢501室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種金氧半場效晶體管器件，其硅片中部且位于重摻雜N型漏極層和P型摻雜阱層之間具有一N型摻雜外延層；一位于P型摻雜阱層內(nèi)的溝槽延伸至N型摻雜外延層內(nèi)，位于P型摻雜阱層上部內(nèi)且位于溝槽的周邊具有重摻雜N型源極區(qū)；溝槽內(nèi)間隔設(shè)置有用第一導(dǎo)電多晶硅柱、第二導(dǎo)電多晶硅柱，此第一導(dǎo)電多晶硅柱、第二導(dǎo)電多晶硅柱之間填充有第二二氧化硅層；一圓形洞槽包覆于溝槽下部和底部，此圓形洞槽的直徑大于溝槽的寬度，所述圓形洞槽的表面覆蓋有第三二氧化硅層。本實用新型金氧半場效晶體管器件減小了器件工作時候的開關(guān)損耗，且降低了關(guān)斷時的導(dǎo)通電阻。