溝槽MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021217031.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN212342640U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-01-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212342640U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-12 |
| 分類號(hào) | H01L29/78(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳譯;陸佳順;楊潔雯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城NW20幢501室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)一種溝槽MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述MOS器件包括至少2個(gè)MOS器件單胞，所述MOS器件單胞進(jìn)一步包括：位于硅片下表面的重?fù)诫sN型漏極區(qū)和位于硅片上表面的中摻雜P型基極區(qū)；所述溝槽內(nèi)下部具有第二N型源極部，此溝槽內(nèi)上部具有柵極部，所述第二N型源極部和柵極部與溝槽之間填充有第一氧化硅層，所述第二N型源極部和柵極部之間通過(guò)第二氧化硅層隔離；相鄰所述MOS器件單胞之間的中摻雜P型基極區(qū)內(nèi)具有一N摻雜深阱部，此N摻雜深阱部的上端延伸至中摻雜P型基極區(qū)的上表面。本發(fā)明溝槽MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管增加耐壓的情況下，將關(guān)斷時(shí)將導(dǎo)通電阻降低。?? |
