垂直功率MOSFET半導(dǎo)體器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021217034.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN212725320U | 公開（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212725320U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-16 |
| 分類號(hào) | H01L29/423(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳譯;陸佳順;楊潔雯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 馬明渡;王健 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城NW20幢501室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開一種垂直功率MOSFET半導(dǎo)體器件，所述MOS器件包括至少2個(gè)MOS器件單胞，所述MOS器件單胞進(jìn)一步包括：位于硅片下部的重?fù)诫sN型漏極層和位于硅片上部的P型摻雜阱層，所述硅片中部且位于重?fù)诫sN型漏極層和P型摻雜阱層之間具有一N型摻雜外延層；一位于P型摻雜阱層內(nèi)的溝槽延伸至N型摻雜外延層內(nèi)，位于P型摻雜阱層上部?jī)?nèi)且位于溝槽的周邊具有重?fù)诫sN型源極區(qū)；一導(dǎo)電多晶硅柱、第二導(dǎo)電多晶硅柱之間填充有第二二氧化硅層；相鄰所述MOS器件單胞之間的中摻雜P型基極區(qū)內(nèi)具有一N摻雜深阱部。本實(shí)用新型減小了器件工作時(shí)候的開關(guān)損耗，有效抑制了器件的誤開啟。?? |
