垂直結(jié)構(gòu)MOS半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022824492.X 申請日 -
公開（公告）號 CN213366604U 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN213366604U 申請公布日 2021-06-04
分類號 H01L29/78;H01L29/08;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳譯;陸佳順;楊潔雯 申請（專利權(quán)）人 蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 馬明渡;王健
地址 215011 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城NW20幢501室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種垂直結(jié)構(gòu)MOS半導(dǎo)體器件，包括：位于硅片下表面的重?fù)诫sN型漏極區(qū)和位于硅片上表面的中摻雜P型基極區(qū)；所述溝槽內(nèi)下部具有第二N型源極部，此溝槽內(nèi)上部具有柵極部，所述柵極部與溝槽之間填充有第一氧化硅層，所述第二N型源極部與溝槽之間填充有第二氧化硅層，所述第二N型源極部和柵極部之間通過第三氧化硅層隔離；所述第二N型源極部下端的左拐角處和右拐角處的第二氧化硅層內(nèi)分別設(shè)置有第一弧形高介電層、第二弧形高介電層。本發(fā)明垂直結(jié)構(gòu)MOS半導(dǎo)體器件緩和了溝槽拐角處的電場強(qiáng)度，提高了器件抗擊穿的耐受能力。