耐擊穿MOSFET器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022826936.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213366605U 公開（公告）日 2021-06-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN213366605U 申請(qǐng)公布日 2021-06-04
分類號(hào) H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳譯;陸佳順;楊潔雯 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 馬明渡;王健
地址 215011 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城NW20幢501室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種耐擊穿MOSFET器件，其中摻雜P型基極區(qū)上部?jī)?nèi)且位于溝槽的周邊具有第一重?fù)诫sN型源極區(qū)，一介質(zhì)層覆蓋于溝槽上并延伸至第一重?fù)诫sN型源極區(qū)內(nèi)側(cè)邊緣的上方；溝槽內(nèi)下部具有第二N型源極部，此溝槽內(nèi)上部具有柵極部，所述柵極部與溝槽之間填充有第一氧化硅層，所述第二N型源極部與溝槽之間填充有第二氧化硅層，所述第二N型源極部和柵極部之間通過第三氧化硅層隔離；第二N型源極部下端的左拐角處和右拐角處的第二氧化硅層內(nèi)分別設(shè)置有第一弧形高介電層、第二弧形高介電層。本發(fā)明耐擊穿MOSFET器件緩和了溝槽拐角處的電場(chǎng)強(qiáng)度，提高了器件抗擊穿的耐受能力。