溝槽式功率MOS半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021211707.4 申請日 -
公開（公告）號 CN213366602U 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN213366602U 申請公布日 2021-06-04
分類號 H01L29/78;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳譯;陸佳順;楊潔雯 申請（專利權(quán)）人 蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 馬明渡;王健
地址 215000 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城NW20幢501室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種溝槽式功率MOS半導(dǎo)體器件，包括：位于硅片下部的重?fù)诫sN型漏極層和位于硅片上部的P型摻雜阱層，位于P型摻雜阱層上部內(nèi)且位于溝槽的周邊具有重?fù)诫sN型源極區(qū)，一絕緣介質(zhì)層覆蓋于溝槽、重?fù)诫sN型源極區(qū)和P型摻雜阱層上表面；溝槽側(cè)壁和底部具有一第一二氧化硅層，且溝槽內(nèi)間隔設(shè)置有用第一導(dǎo)電多晶硅柱、第二導(dǎo)電多晶硅柱；位于N型摻雜外延層內(nèi)且包覆于溝槽下部的外側(cè)壁上具有一P型摻雜擴(kuò)散區(qū)，此P型摻雜擴(kuò)散區(qū)上端面與P型摻雜阱層的下表面接觸。本實(shí)用新型減小了器件工作時(shí)候的開關(guān)損耗，且提高了器件的反向電壓阻斷能力。