溝槽型MOS晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021212352.0 申請日 -
公開（公告）號 CN212810310U 公開（公告）日 2021-03-26
申請公布號 CN212810310U 申請公布日 2021-03-26
分類號 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳譯;陸佳順;楊潔雯 申請（專利權）人 蘇州硅能半導體科技股份有限公司
代理機構 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 代理人 馬明渡;王健
地址 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城NW20幢501室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開種溝槽型MOS晶體管，其硅片中部且位于重摻雜N型漏極層和P型摻雜阱層之間具有一N型摻雜外延層；一位于P型摻雜阱層內(nèi)的溝槽延伸至N型摻雜外延層內(nèi)，位于P型摻雜阱層上部內(nèi)且位于溝槽的周邊具有重摻雜N型源極區(qū)，一絕緣介質(zhì)層覆蓋于溝槽、重摻雜N型源極區(qū)和P型摻雜阱層上表面面；所述溝槽側壁和底部具有一第一二氧化硅層，且溝槽內(nèi)間隔設置有用第一導電多晶硅柱、第二導電多晶硅柱；所述溝槽的下部和底部均包覆有一位于所述N型摻雜外延層內(nèi)的P型中摻雜區(qū)。本實用新型溝槽型MOS晶體管可提高輕摻雜N型漂移區(qū)的摻雜濃度，增加耐壓的情況下，將關斷時將導通電阻降低。??