一種Fe-Co-Zr-Nb-B-Ga納米晶磁芯的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310546391.2 申請日 -
公開（公告）號 CN103680915B 公開（公告）日 2016-06-15
申請公布號 CN103680915B 申請公布日 2016-06-15
分類號 H01F41/02(2006.01)I;H01F1/147(2006.01)I;B22F9/04(2006.01)I;B22F3/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 司雪楠 申請（專利權）人 重慶舒為科技有限公司
代理機構 安徽合肥華信知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 安徽省智匯電氣技術有限公司;重慶市弛電科技有限公司;呂小芹;曼特（廣州）磁性器件有限公司
地址 241000 安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新開發(fā)區(qū)創(chuàng)意孵化園三樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種Fe-Co-Zr-Nb-B-Ga納米晶磁芯的制備方法，其具體步驟如下：將鐵基非晶薄帶施加張應力真空退火制得納米晶薄帶；將制得的納米晶薄帶進行破碎，得到納米晶金屬粉末；然后將納米晶金屬粉末分成不同等份的A、B料；A料加納米級硅溶膠、Bi2O3和三聚磷酸鈉進行處理，B料用滑石粉鋁酸酯偶聯(lián)劑DL-411、硬脂酸鋅和水玻璃進行處理；將處理后的A料、B料混合均勻，加入聚乙烯醇水溶液，壓制成型，將成型后的磁芯表面涂覆SY-151磁芯膠，固化，即得成品。本發(fā)明制備出來的磁芯成品具有磁損耗值低、耐高溫等優(yōu)點，其綜合性能優(yōu)良。