帶有參考器件的GaN基pH傳感器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010472252.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111579608A | 公開（公告）日 | 2020-08-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111579608A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-25 |
| 分類號(hào) | G01N27/30(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 陳敦軍;董燕 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 徐州冠鼎光電有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 江蘇斐多律師事務(wù)所 | 代理人 | 徐州冠鼎光電有限公司 |
| 地址 | 221000江蘇省徐州市云龍區(qū)綠地商務(wù)城（B7-1地塊）officeG號(hào)樓1-1507 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種帶有參考器件的GaN基pH傳感器，其結(jié)構(gòu)自下而上依次包括：襯底、GaN緩沖層、GaN溝道層、AlN插入層、AlGaN勢(shì)壘層或者AlInN勢(shì)壘層、GaN蓋帽層；所述傳感器設(shè)有感測(cè)區(qū)域和參考區(qū)域，在感測(cè)區(qū)域和參考區(qū)域設(shè)有獨(dú)立的漏電極和柵電極，感測(cè)區(qū)域和參考區(qū)域之間設(shè)有共用源電極，所有的電極均蒸鍍?cè)贏lGaN勢(shì)壘層或者AlInN勢(shì)壘層上，所述感測(cè)區(qū)域設(shè)有感測(cè)區(qū)。本發(fā)明在同一器件上同時(shí)包括感測(cè)區(qū)域和參考區(qū)域，新結(jié)構(gòu)的器件具有較大的輸出電流，同時(shí)具有很好的感測(cè)靈敏度和穩(wěn)定性。由于輸出電流的提高，可以在后續(xù)的商業(yè)應(yīng)用中省掉電流放大的設(shè)計(jì)，起到簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)和降低成本的作用。?? |
