阻變存儲器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011447965.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114628434A 公開（公告）日 2022-06-14
申請公布號 CN114628434A 申請公布日 2022-06-14
分類號 H01L27/24（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L45/00（2006.01）I;H01L21/34（2006.01）I;H01L21/44（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王欣鶴;吳華強;高濱;唐建石;張志剛;錢鶴;李鎮(zhèn);崔曙光 申請（專利權）人 深圳市大數據研究院
代理機構 北京市柳沈律師事務所 代理人 -
地址 100084北京市海淀區(qū)雙清路30號清華大學
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種阻變存儲器件及其制備方法。該阻變存儲器件包括至少一個阻變存儲單元，每個阻變存儲單元包括無結場效應晶體管和阻變存儲元件。無結場效應晶體管包括有源層、柵介質層和柵極。有源層沿第一方向延伸，包括溝道區(qū)以及在第一方向上位于溝道區(qū)兩端的第一源漏區(qū)和第二源漏區(qū)；柵介質層設置在有源層上且至少部分環(huán)繞溝道區(qū)；柵極設置在柵介質層的遠離有源層的一側且至少部分環(huán)繞柵介質層。阻變存儲元件包括第一電極、第二電極和阻變層，第一電極與無結場效應晶體管的第一源漏區(qū)或者第二源漏區(qū)電連接。無結場效應晶體管的溝道區(qū)長度長，加工成本低，并具有較大的開關比；將無結型晶體管與阻變存儲元件集成形成1T1R單元，可有效地減小路徑泄露。