提高涂層導(dǎo)體用CeO2薄膜厚度的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710047473.7 申請日 -
公開（公告）號 CN101178955A 公開（公告）日 2008-05-14
申請公布號 CN101178955A 申請公布日 2008-05-14
分類號 H01B13/00(2006.01);H01B5/14(2006.01);H01B12/06(2006.01);H01L39/24(2006.01);B01J19/00(2006.01);B05D1/00(2006.01);B05D5/12(2006.01);B05D7/24(2006.01);B05D3/02(2006.01);C22F1/00(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 潘成遠;蔡傳兵;應(yīng)利良;劉金磊;陳昌兆 申請（專利權(quán)）人 上海上大資產(chǎn)經(jīng)營管理有限公司
代理機構(gòu) 上海上大專利事務(wù)所 代理人 上海大學(xué);上海上創(chuàng)超導(dǎo)科技有限公司
地址 200444上海市寶山區(qū)上大路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種通過對CeO2薄膜實施稀土離子摻雜以提高薄膜厚度且成本低廉的技術(shù)工藝。相應(yīng)量的釔、鈥、釤和鋯等稀土離子的醋酸鹽或乙酰丙酮鹽經(jīng)過溶解并加熱攪拌摻入到醋酸鈰的混合溶液中配成預(yù)計比例的摻雜前驅(qū)溶液。前驅(qū)溶液經(jīng)烘烤后涂覆到金屬襯底上，再進行下一步的熱處理即可得到雙軸織構(gòu)且表面平整致密的高溫超導(dǎo)涂層導(dǎo)體用CeO2薄膜。