堆疊式高帶寬存儲器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011016040.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112164674A 公開（公告）日 2021-01-01
申請公布號 CN112164674A 申請公布日 2021-01-01
分類號 H01L23/10;H01L23/373;H01L23/538;H01L25/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 薛迎飛;王喜龍 申請（專利權(quán)）人 浙江清華長三角研究院
代理機(jī)構(gòu) 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 芯盟科技有限公司;浙江清華長三角研究院
地址 314400 浙江省嘉興市海寧經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)隆興路118號內(nèi)主辦公樓2129室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種堆疊式高帶寬存儲器，包括至少兩個相互鍵合的芯片，所述兩個芯片各自獨(dú)立地選自于邏輯芯片和存儲器芯片中的任意一種，兩芯片之間的物理連接采取氧化物介質(zhì)層作為中間層相互鍵合；兩芯片之間的電學(xué)連接通過導(dǎo)電通孔直連。本發(fā)明各個芯片之間通過導(dǎo)電通孔(TSV)直接，相對于采用微凸塊(uBump)連接的技術(shù)方案而言縮短了芯片間連線距離，減小了連線電阻值；采用氧化物介質(zhì)層填滿了芯片之間的空隙，介質(zhì)層導(dǎo)熱速度優(yōu)于有機(jī)物填充料，因此增加了芯片散熱速度；氧化物介質(zhì)層替代微植球?qū)崿F(xiàn)芯片之間的物理連接，也提高了芯片之間的連接牢固程度。以上技術(shù)方案都可以提升芯片性能。