一種超低功耗非共地雙向數(shù)據(jù)隔離電路
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210174198.X | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN114244346B | 公開(公告)日 | 2022-05-31 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN114244346B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-31 |
分類號(hào) | H03K19/0175(2006.01)I;H02J7/00(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 饒華兵;許正杰;聶建波;王阿明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 南京模礫半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 南京鑫之航知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | - |
地址 | 210000江蘇省南京市中國(江蘇)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)南京片區(qū)研創(chuàng)園團(tuán)結(jié)路99號(hào)孵鷹大廈2638室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種超低功耗非共地雙向數(shù)據(jù)隔離電路,低電平芯片的電平轉(zhuǎn)換電路包括第二三極管Q26、第四場效應(yīng)晶體管Q27和第二二極管D107;高電平芯片的電平轉(zhuǎn)換電路包括第一三極管Q69、第一場效應(yīng)晶體管Q66和第一二極管D106;第二場效應(yīng)晶體管Q68,設(shè)于低電平芯片的電平轉(zhuǎn)換電路和高電平芯片的電平轉(zhuǎn)換電路之間,用于將低壓電平傳輸給高電平芯片,實(shí)現(xiàn)低電平芯片的電平轉(zhuǎn)換電路和高電平芯片的電平轉(zhuǎn)換電路之間的隔離與雙向通訊。本發(fā)明應(yīng)用使用成本較低;利用超低功耗雙向數(shù)據(jù)高壓隔離電路有效的降低BMS工作時(shí)功耗;利用超低功耗雙向數(shù)據(jù)高壓隔離電路可有效的避免因?yàn)楦叽腁FE和低串的AFE功耗不同。 |
