肖特基二極管、NIPT95合金及肖特基二極管的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811562125.8 申請日 -
公開（公告）號 CN109585570A 公開（公告）日 2019-04-05
申請公布號 CN109585570A 申請公布日 2019-04-05
分類號 H01L29/872（2006.01）I; H01L29/47（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I; C22C5/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉維; 孟鶴; 王品東; 時新越 申請（專利權(quán)）人 吉林麥吉柯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 吉林麥吉柯半導(dǎo)體有限公司
地址 132000 吉林省吉林市高新區(qū)深圳街99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例提供的肖特基二極管、NIPT95合金及肖特基二極管的制造方法，涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域。肖特基二極管包括：第一導(dǎo)電類型的襯底；第一導(dǎo)電類型的外延層，覆蓋在所述襯底上；NIPT95合金，NIPT95合金滲入到第一導(dǎo)電類型的外延層中形成肖特基勢壘層；導(dǎo)電層，覆蓋在所述肖特基勢壘層上。由于采用NIPT95合金滲入到第一導(dǎo)電類型的外延層中形成肖特基勢壘層；相較于現(xiàn)有技術(shù)通過金屬鈦、金屬鎳、金屬鉬等金屬與表面態(tài)良好的第一導(dǎo)電類型的外延層接觸形成肖特基勢壘層，本發(fā)明實施例提供的方案可以使形成的肖特基勢壘層的反向漏電流小且離散較小，進(jìn)而可以減少制造過程中的廢片率。