一種溝槽肖特基二極管及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910496203.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110112222A 公開（公告）日 2019-08-09
申請公布號 CN110112222A 申請公布日 2019-08-09
分類號 H01L29/872;H01L29/06;H01L21/328;H01L21/285 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王宇;孟鶴;劉維 申請（專利權(quán)）人 吉林麥吉柯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 吉林麥吉柯半導(dǎo)體有限公司
地址 132000 吉林省吉林市高新區(qū)深圳街99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N溝槽肖特基二極管及制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。溝槽肖特基二極管包括:基底；外延層，基底的表面為外延層；溝槽，外延層的表面具有溝槽；柵氧化層，外延層的表面和溝槽內(nèi)具有柵氧化層；多晶硅層，柵氧化層的表面為多晶硅層；勢壘源區(qū)，兩個(gè)溝槽間的外延層的表面為勢壘源區(qū)；金屬層，金屬層包括第一金屬層和第二金屬層，勢壘源區(qū)的表面為所第一金屬層，第一金屬層的表面為第二金屬層。該溝槽肖特基二極管可以通過調(diào)節(jié)第一金屬層和第二金屬層的厚度配比，最終改變生成的勢壘硅化物的功函數(shù)，從而改變溝槽肖特基勢壘高度，并且生成的勢壘硅化物厚度增加，使溝槽肖特基二極管的電學(xué)性能提高。