具有多晶硅層的晶圓的處理方法及其系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010016903.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113161223A 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN113161223A 申請公布日 2021-07-23
分類號 H01L21/02;H01L21/306;H01L21/67;B24B7/22;B24B27/00;B24B37/10;B24B37/30;B24B37/34;B24B57/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李善雄 申請（專利權(quán)）人 夏泰鑫半導(dǎo)體（青島）有限公司
代理機構(gòu) 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 肖昀
地址 266000 山東省青島市黃島區(qū)太白山路172號青島中德生態(tài)園雙創(chuàng)中心219室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種用于處理具有多晶硅層的晶圓的方法。該晶圓裝載在處理系統(tǒng)上。該處理系統(tǒng)包括研磨模塊和連接研磨模塊的清潔模塊。研磨模塊包括至少第一研磨盤和第二研磨盤。第一研磨盤和第二研磨盤中的每一個均包括用于研磨晶圓的研磨墊。將研磨漿施加到研磨模塊的第一研磨盤上以進行多晶硅層的平坦化。在平坦化后，通過非離子表面活性劑溶液處理表面多晶硅層，使其表面性質(zhì)改變?yōu)橛H水性。在后CMP清洗工藝中，可以通過氟化氫溶液和SC1溶液輕松去除多晶硅層表面上的有機污染物，而無需額外的硫酸清洗工藝。